速到變頻調速的轉變。雖然變頻電源消耗了約一體電感器打樣 10%的電能，但是利用變頻調速在運行過程中的變速、變扭矩功能，可使住宅空調電力消耗平均降低約30%。同時，在冬季熱泵運行模式下具備大幅度提高制熱量的能力，這也促進了熱泵供熱技術的廣泛應用。
在變頻器和功率電感變壓器等裝置中起開關作用的電力半導體，如金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET、絕緣柵極型雙極晶體管IGBT和二極管等的技術發(fā)展趨勢是，從目前主流的Si半導體材料向SiC和GaN等化合物半導體材料轉變，在提高效率和減少體積方面取得重大進步。
德國弗勞恩霍夫Fraunhofer應用研究促進協(xié)會太陽能系統(tǒng)研究所ISE目前已經將太陽能光伏發(fā)電裝置配套的逆變器效率提高到98.5%，新逆變器的功率損失比該機構原有同類逆變器下降了50%左右。該機構在額定功率為5kW的單相逆變器上采用SiC器件替代Si器件，成為效率顯著提高的關鍵。這些SiC器件由美國科銳Cree公司生產，該公司在2010年已經解決了直徑6英寸SiC底板的制造工藝問題，并實現(xiàn)批量生產，為SiC器件制造成本的大幅下降創(chuàng)造了條件。
新型半導體器件的較高效率提升主要是因為器件內部功耗較低。在相同的電路結構下，將二極管從Si材料換成SiC材料，功耗可降低約30%;如果同時替換晶體管，功耗可降低約50%。功耗降低，發(fā)熱量也隨之下降，從而實現(xiàn)電力轉換器件的節(jié)能化。
除功耗低外，GaN和SiC還具備適于小型化的特性。首先，以上述兩種材料制成的器件能夠實現(xiàn)數(shù)倍于Si元件的高速開關，使得電感器等外圍電路部件的尺寸大幅下降，從而實現(xiàn)電力轉換裝置電路的小型化。其次，SiC和GaN元件還可在Si元件無法適應的200℃以上的高溫環(huán)境下工作，在發(fā)熱量相同的情況下，能夠減小電力轉換器件冷卻裝置的外形尺寸。
隨插件電感器企業(yè)著GaN和SiC電力半導體產業(yè)化步伐的加快，開發(fā)充分利用其特性的新型外圍電路成為當務之急，例如可實現(xiàn)高速工作的驅動電路設計、以高頻開關為前提的電磁噪聲對策等。要使這些電力半導體在超過200℃的高溫環(huán)境下工作，除了采用耐熱性高且低價位的焊錫材料，在芯片安裝方面，還需采用耐高溫的封裝材料。這些外圍電路技術的進步，是發(fā)揮GaN和SiC器件效力的關鍵。
