在可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業等領域，要想增強這些關鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體系統成本提高。
為幫助設計人員解決這些難題，全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(Fai貼片電感生產rchildSemiconductor)發布了模壓電感廠家非常適合功率轉換系統的碳化硅(SiC)技術解決方案，進而拓展了公司在創新型高性能功率晶體管技術領域的領先地位。
飛兆半導體SiC解決方案助您成功
通過在產品組合中引入基于SiC技術的新產品成員，飛兆半導體進一步鞏固了其在創新型高性能功率晶體管技術領域的產品領先地位。
飛兆半導體的SiC特性包括：
經過優化的半標準化自定義技術解決方案，可充分利用自身較大的半導體器件與模塊封裝技術組合
憑借功能集成和設計支持資源簡化工程設計難題的先進技術，可在節約工程設計時間的同時最大限度地減少元器件數量。
具有尺寸、成本和功率優勢的較小型先進封裝集成了領先的器件技術，可滿足器件制造商和芯片組供應商的需求
&n模壓電感器企業bsp; 在飛兆半導體SiC組合中首先要發布的一批產品是先進的SiC雙極結型晶體管(BJT)系列，該系列產品可實現較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利地進行高溫工作。通過利用效率出色的晶體管，飛兆半導體的SiCBJT實現了更高的開關頻率，這是因為傳導和開關損耗較低(30-50%)，從而能夠在相同尺寸的系統中實現高達40%的輸出功率提升。
這些強健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統總體成本降低多達20%。這些業界領先的SiCBJT性能出眾，可促進更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區，將在高功率轉換應用的功率管理優化中發揮重大作用。
飛兆半導體還開發了即插即用的分立式驅動器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導體的先進SiCBJT配合使用時，不僅能夠在減少開關損耗和增強可靠性的條件下提高開關速度，還使得設計人員能夠在實際應用中輕松實施SiC技術。飛兆半導體為縮短設計時間、加快上市速度，還提供了應用指南和參考設計。應用指南可供設計人員獲取SiC器件設計所必需的其他支持；參考設計有助于開發出符合特定應用需求的驅動器電路板。
