SBR系列配備獨特的專利結構，其高反向雪崩性能有效防止負尖峰及電感負載浪涌，使汽車產品更加貼片電感器制作堅固可靠。在一個典型的單脈沖雪崩測試中，當肖特基及SBR器件處于相同的電路情況，它們的雪崩能量分一體成型電感打樣別為7mJ和70mJ。

這個SBR"Q"系列提供高達60A電流額定值及100V反向電壓額定值。它在更高溫的情況下能大幅降低反向漏電流，有助于把電路損耗減到最低，以及進一步防止熱失控。

此外，SBR系列比肖特基二極管具有較低正向電壓降，有效在反向極性保護和續流二極管電路等一般應用內，減少傳導損耗及提升整體效率。

有關Diodes公司介紹：

Diodes成立於1966年，是美國Nasdaq上市企業，為敦南科技轉投資企業，主要從事半導體分立元件制造生產，Diodes開發、生產及分銷產品，服務廠商包括通訊、電腦、工業、電子產品和汽車工業等。

Diodes公司是一家在廣闊的分散和模擬半導體市場上居全球領先地位的高質量、特定應用標準產品生產商和供應商，服務市場主要面向電子消費品、計算、通訊、工業和汽車制造業。