有很多方法能夠提高升壓逆變器的效率。由于升壓逆變器可在連續(xù)傳導(dǎo)模式或邊界傳導(dǎo)模式(CCM 或 BCM)下工作，這就衍生出不同的優(yōu)化方案。在CCM模式中，損耗的一大主因是升壓二極管的反向恢復(fù)電流；在這種情況下，一般使用碳化硅二極管或飛兆半導(dǎo)體的Stealth 二極管來解決。太陽能逆變器更常采用的是BCM模式，而盡管對這類功率級通常建議選擇CCM模式，但采用BCM模式的原因在于BCM模式中二極一體電感器企業(yè)管的正向電 壓要低得多。而且，BCM模式也具有高得多的EMI濾波器和升壓功率電感紋波電流。這時，良好的高頻電感設(shè)計是一解決方案。

　　采用兩個交錯式升壓級來取代一個升壓級乃一種新方法。這樣一來，流經(jīng)每個電感和每個開關(guān)的電流便能夠減半。另外，采用交錯式技術(shù)，一級上的紋波電流 可抵償另一級的紋波電流，因而可在很寬工作輸入范圍上去除輸入紋波電流。如FAN9612交錯式BCM PFC一類的控制完全能夠輕松滿足太陽能升壓級的要求。

　　逆變器中的升壓開關(guān)有兩個選擇：IGBT或 MOSFET。對于需要600V以上額定開關(guān)電壓的輸入級，常常會采用1200V IGBT快速開關(guān)，如FGL40N120AND。對于額定電壓只需600V/650V的輸入級，則選用MOSFET。
輸出H-橋級的設(shè)計人員一直以來都采用600V/650V MOSFET，但因為新的草案規(guī)范要求輸出級以四象限工作，于是在這一領(lǐng)域重新點(diǎn)燃了人們對IGBT的興趣。MOSFET雖然內(nèi)置有體二極管，但相比 IGBT中采用的組合封裝二極管，其開關(guān)性能很差。新型的場截止IGBT能夠以10V/ns的速度轉(zhuǎn)換電壓，較之以往的舊式產(chǎn)品導(dǎo)通損耗大大改善。這種集成式二極管具有出色的軟恢復(fù)性能，有助于降低500A/us以上的高di/dt造成的EMI。對于16kHz-25kHz開關(guān)，建議采用IGBT，例如飛 兆半導(dǎo)體的 FGH60N60UFD。 

太陽能逆變器的功率電感發(fā)展趨勢：交錯式BCM升壓+三電平逆變器