為了確定柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，以及它們與傳統(tǒng)硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器的區(qū)別，我們必須將硅FET器件和eGaN FET器件的參數(shù)進(jìn)行比較（表1）。在考慮柵極驅(qū)動(dòng)要求時(shí)，eGaN FET的三個(gè)最重要參數(shù)電感器工廠是：最大允許柵極電壓、柵極閾值電壓、“體二極管”壓降。
與傳統(tǒng)硅器件相比，eGaN FET最大允許的柵極至源極電壓是較
低的。其次，其柵極閾值與大多數(shù)功率MOSFET相比也是較低的，但它受負(fù)溫度系數(shù)的影響沒(méi)那么大。第三，“體二極管”正向壓降要比同等的硅MOSFET高1V。
柵極下拉電阻
eGaN FET提供的一大優(yōu)勢(shì)是其可實(shí)現(xiàn)的開(kāi)關(guān)速度。然而，伴隨這個(gè)新功能的更高di/dt和dV/dt不僅要求布局具有更小的寄生電容、電阻和功率電感，而且還會(huì)給柵極驅(qū)動(dòng)器增加一些新的考慮因素。讓我們看一個(gè)半橋電路，該電路使用一個(gè)具有高dV/dt導(dǎo)通值的補(bǔ)償器件，如圖1所示。‘米勒’充電電流從漏極（開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)）經(jīng)過(guò)CGD和CGS直到源極，以及通過(guò)CGD到RG（內(nèi)部柵極電阻）和RSink（柵極驅(qū)動(dòng)器吸收電阻）再到源極。避免這個(gè)器件dV/dt（米勒）導(dǎo)通的條件是：
其中：功率電感制造商α= 無(wú)源網(wǎng)絡(luò)時(shí)間常數(shù)（RG + RSink） x （CGD + CGS） dt = dV/dt 開(kāi)關(guān)時(shí)間。因此，為了避免eGaN FET的米勒導(dǎo)通，有必要限制器件柵極和源極之間的總電阻路徑（內(nèi)部柵極電阻RG和外部柵極驅(qū)動(dòng)吸收電阻RSink）。有人可能會(huì)辯稱(chēng)，對(duì)于具有良好米勒比率（QGD/QGS（VTH）《1）的器件來(lái)說(shuō)，不必有這樣的要求。但實(shí)際上，由于QGD會(huì)隨功率電感器VD而增加，這個(gè)比率將隨著開(kāi)關(guān)電壓的增加而慢慢變差，因此不能單單依靠它來(lái)防止米勒導(dǎo)通。
