本文從對比兩顆分立MCU與單芯片雙核MCU開始(以LPC4350為例)，展開介紹了非對稱雙核MCU的基礎知識與重要特點。接下來，重點介紹了核間通信的電感器市場需求概念與幾種實現方式，尤其是基于消息池的控制/狀態通信。然后，對內核互斥、初始化流程等一些重要的細節展開了論述。最后提出了雙核任務分工的兩種應用模型，并分別舉例。

背景與基本概念

在開發MCU應用系統時，如果單顆MCU無法滿足系統的要求，一個很普遍的做法就是使用兩顆或更多的MCU，把一部分“雜項工作”分配給另一個有“助理”性質的低端MCU來完成。但是，采用兩顆MCU，缺點也很明顯，尤其是在芯片與PCB成本、系統可靠性及功耗方面都有先天的不足。此外，若采用了不同塑封電感器架構的MCU，還要面臨需要不同的開發工具與開發人員的挑戰。如果換一種思路，讓MCU內部包含兩個內核，其中一個用于主控，另一個用于協控，并且它們主控與協控在架構上能夠向下兼容、高效通信，則在很多場合下都可以既保持多機系統的強大，又能避免多機系統的不足。

事實上，這即是“非對稱多處理器(簡稱AMP)”架構的特點。AMP是與“對稱多處理器(簡稱SMP)”相對的架構，后者各處理器有一致的編程模型，并且在分配工作時主要以均衡為原則。而AMP的優點在于精細的任務分工，靈活地適應不同情景，物盡其用，以最佳地平衡成本、性能與功耗。此外，AMP的編程難度也更低。因此，在MCU應用領域，AMP較SMP更為適合。

與獨立的雙MCU相比，AMP架構有很多優點。其中相當關鍵的就是，再添加一個內核的代價遠比添加一個獨立的MCU要低，尤其是當兩個內核架構相似時，甚至僅相當于在現有硅片上再添加一兩個UART。另一方面，兩個內核可以有相同的主頻，并且可以通過總線矩陣平等地訪問片上資源。而在分立的雙MCU方案中，協控MCU的主頻常常遠低于主控，并且雙方使用低速的串行鏈路通信。

接下來，我們以恩智浦(NXP)半導體公司新推出的LPC4300系列為例(尤以LPC4350型號為代表)，對AMP MCU進行簡單介紹。

非對稱雙核MCU的特點

AMP MCU一般用于相對大型的系統，這些系統對功能和性能都有較高的要求。在功能上，應支塑封電感器持較多的外設。LPC4350片載2個高速USB、2個CAN、工業以太網、圖形LCD控制器，以及SDHC等接口;外加一些獨有的邏輯可配置外設以及眾多傳統外設，適用于工控、能源、醫療、音頻、車載、電機、監控等眾多行業產品的開發。

性能的改善則是AMP MCU的靈魂。內核、存儲器，以及總線架構對于性能有著至關重要的影響。圖1展示了LPC4350的實現方式。

圖1：LPC4350的內核、存儲器以及總線連接圖

首先是內核的選擇。LPC4350基于32位的ARM Cortex-M4和Cortex-M0內核(以下簡稱M4和M0)，兩個內核均可在高達204MHz的主頻下執行代碼。其中，M4以信號處理和浮點運算能力見長，勝任很多原先要采用DSP才能滿足的應用，并且繼承了Cortex-M3的控制能力;另一方面，M0以其成本、能效和處理能力的壓倒性優勢，正迅速吸引開發人員從8/16位架構向上過渡。更重要的是，M4完全向下兼容M0，使用同一套開發工具即可開發、調試。

其次是存儲器的容量和組織方式。LPC4350配備多達264KB片上RAM，并且這些RAM被劃分共模電感器成4組，每組連接一條單獨的總線，而并非沒有分塊。如若不然，則會出現兩個核競爭使用同一塊RAM的情況——性能反而還不如只用單個內核!進一步，LPC4350還有兩條總線連接到外部擴展的并行和串行存儲器，故總共有6個獨立的存儲器地址空間——LPC4350無片上閃存。對于有片上閃存的型號，片差模電感上閃存也分為兩塊。

最后是總線架構。LPC4350內部有一個八層總線矩陣。它如同一組縱橫開關，可以把CPU與包括存儲器在內的眾多從設備通過總線任意連接。合理分配總線接通關系，避免多個主設備(如CPU和DMA)同時訪問相同的存儲器或外設，可以最大地保證各條數據流并行不悖，從而可以充分發揮性能上的優勢。

內核間通信

內核間的通信可分為兩類：一類是控制與狀態信息的通信，另一類則是數據通信。前者一般不攜帶數據，但往往有較高的實時要求;后者則主要是各類數據緩沖區，通常實時性要求偏低但數據量大。控制/狀態通信有較大的通用性，并且與任務間的同步較為相似。這類通信適合由系統軟件實現并提供編程接口。數據通信則往往與具體應用相關較大(尤其是在數據結構上)，需要量體裁衣。在實現時，適合由應用軟件定義各種數據結構。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠