身邊或多或少都每天會與氮化鎵,碳化硅這兩樣東西接觸了。

氮化鎵MOSFET是大勢所在，將會代替我們現在的MOFET。

氮化鎵MOSFET與碳化硅因材料的不同，所以會給我們帶來高效率的電源方案。

我們傳統的電路拓撲相信大家都明白，幾十年都沒有變了，但我們器件的每一次

變化都會給人們的生活帶來巨大影響。

從晶體三極管年代，到IGBT代理，到MOSFET，再到COOL-MOSFET。

今天我們到了氮化鎵及碳化硅的時代了。

他們均是高頻器件，可以很好地跑高頻。

我們都知道，硅器件不能跑高頻，一旦跑高頻，損耗會成倍地加大。

采用氮化鎵MOSFET+碳化硅二極管可以很容易實現

96%以上效率的AC-DC電源

99%以上的無橋PF效率。

開關頻率500KHZ以上。

體積超小。

EMI超好特點。

詳細請看附件。

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