近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為了在高性能電信設備和數據中心服務器中實時地對處理器和存儲器的功耗進行監控，推出兩個新的 60A VRPower?智能功率級 ---SiC645 和 SiC645A。

功率級集成了電流和溫度監測器，可用于多相 DC/DC 系統。

Vishay Siliconix SiC645 和 SiC645A 把功率 MOSFET、先進的驅動 IC 和 1 個啟動 FET 組合在熱增強的薄外形 5mm x 5mm x 0.66mm PowerPAK? MLP55-32L/QFN 封裝里，有效簡化設計，精度高于類似的標準 DrMOS 產品，同時占位面積比相近的對標器件小 16%。

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使用電感器 DCR 檢測來監控功耗，需要使用類似熱敏電阻這樣的外部元器件來進行溫度補償。

與前面這種方案不同的是，SiC645 和 SiC645A 利用低邊 MOSFET 的導通電阻 RDS(ON)進行檢測，分別用 5mV/A 和 8mV/C 信號準確地報出電流(IMON)和溫度(TMON)。

這種檢流方法在很寬的負載范圍內都是準確的，而且在內部進行溫度補償，省掉了外部電路，從而簡化設計。

另外，使用這些功率級就能去掉檢流引線，同時由于沒有了噪聲和外部濾波，系統響應速度很快。

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功率級的精度滿足 Intel 嚴格的 VR13 和 VR13.x 電流監測精度要求，能夠更好地發揮服務器 CPU 的加速功能，在不增加成本的情況下為數據中心客戶提供更高的性能，優點十分突出。

專用的低邊 FET 控制 pin 腳使系統在輕載條件下也具有很好的效率。

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器件的輸入范圍從 4.5V 到 18V，適用于為服務器、網絡和云計算的微處理器和存儲器供電的高頻、高效 VRM 和 VRD，高性能圖形卡和游戲機里的 GPU，以及通用多相負載點(POL)DC/DC 轉換器。

SiC645 和 SiC645A 的封裝能夠實現雙面冷卻，低封裝寄生電阻和電感使開關頻率能夠達到 2MHz。

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器件符合 RoHS，無鹵素，故障保護功能包括高邊 FET 短路和過流保護、過熱保護、欠壓鎖定(UVLO)，有開漏故障報告輸出。

SiC645 和 SiC645A 分別支持 5V 和 3.3V PWM 三電平輸入，兼容 Intersil 的 ISL68/69xx 和 ISL958xx 數字多相控制器。

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智能功率級現可提供樣品，并已實現量產，供貨周期為十周。