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深圳市瑞申電子有限公司

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5V10A 紋波尖刺 NE1102E

時(shí)間:2018-04-23 10:37:08 點(diǎn)擊:

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好長(zhǎng)時(shí)間沒(méi)做電源了,最近換了個(gè)工作,一個(gè)5V10A的電源,紋波如圖,我怎么抑制都沒(méi)有很好的壓下尖刺;

1. 輸出換電容, PI型濾波 ,最后加了個(gè)T12的共模綠環(huán),輸出并接PF nF級(jí)別的電容,更換Y1電容, 稍微有效果的就是 T12的綠環(huán)可以壓一些峰值雜波下來(lái)。

2. MOS的DS 并接56--100pF/1KV的電容, 可以有些效果, 變壓器外包屏蔽可以有些效果,RCD吸收調(diào)整,輸出二極管RC調(diào)整也進(jìn)行了,沒(méi)很好的效果。

3. 最后修改MOS的驅(qū)動(dòng)電阻,加大到150R后 MOS的上升下降沿都有400nS---800nS,效果明顯,紋波可以下降。

4.最后就差磁珠沒(méi)用物料,沒(méi)有試驗(yàn)。

請(qǐng)問(wèn)各位大俠,如何看待此尖刺。 IC是 NE1102E MOS 8N60 肖特基 30A60V的, 測(cè)試了DS波型和紋波對(duì)比,干擾同步,是在漏感峰值那個(gè)地方。

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各位大俠,問(wèn)題有了進(jìn)展。 NE1102E的介紹說(shuō)是它的驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng),和二極管并接的電阻可以用到150R,我放的是100R,另外一個(gè)是4.7R,但是最主要的一個(gè)改動(dòng)是我把MOS的GS的放電電阻由10K 1206 的改為了5.1K 1206的,這一個(gè)改動(dòng)效果很明顯,紋波在低壓100V輸入的時(shí)候是70mV-80mV, 在高壓220V的時(shí)候是90mV-105mV,基本可以控制在100mV以內(nèi), 不知道大家對(duì)此調(diào)整做何看法? 用5.1K電阻應(yīng)該不會(huì)有什么問(wèn)題吧?

如果什么都不改,NE1102E直接用OB2273換上去,紋波會(huì)減小30mV 的樣子,問(wèn)題何在? 但是我不用2273,備料用的是1102.

已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ 重新處理變壓器
可能是變壓器漏感太大造成的
試試在輸出整流管、開關(guān)管管腳加磁珠看看效果或減少變壓器的漏感
尖刺是你的示波器探頭上的地線被干擾了不?

我最近在做一個(gè)電源,也碰到類似的問(wèn)題,IC是NCP1200D6,MOS是4N90,由于是多路輸出,變壓器用的大了點(diǎn)是EE28的。

DS的波形感覺(jué)是挺好的,肖特基兩端的波形也還行,就是輸出紋波尖峰特別高。和開關(guān)頻率同步,想不明白,變壓器初級(jí)電感量1.9mh,漏感32UH。

肖特基改為快恢復(fù)管看看紋波尖峰是否有差異。

驅(qū)動(dòng)電阻加大應(yīng)該是有點(diǎn)效果的。

各位大俠,問(wèn)題有了進(jìn)展。 NE1102E的介紹說(shuō)是它的驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng),和二極管并接的電阻可以用到150R,我放的是100R,另外一個(gè)是4.7R,但是最主要的一個(gè)改動(dòng)是我把MOS的GS的放電電阻由10K 1206 的改為了5.1K 1206的,這一個(gè)改動(dòng)效果很明顯,紋波在低壓100V輸入的時(shí)候是70mV-80mV, 在高壓220V的時(shí)候是90mV-105mV,基本可以控制在100mV以內(nèi), 不知道大家對(duì)此調(diào)整做何看法? 用5.1K電阻應(yīng)該不會(huì)有什么問(wèn)題吧?

如果什么都不改,NE1102E直接用OB2273換上去,紋波會(huì)減小30mV 的樣子,問(wèn)題何在? 但是我不用2273,備料用的是1102.

放電電阻到5.1k沒(méi)問(wèn)題的,相當(dāng)于開啟變慢一點(diǎn)點(diǎn),關(guān)斷變快一點(diǎn)點(diǎn)。對(duì)電路性能影響不大。

二極管并聯(lián)的那個(gè)電阻阻值影響大不?

二極管并聯(lián)的那個(gè)電阻阻值影響也很大,我以前用的是6.8R+(10R+1N4148)+10K對(duì)地,后面改為4.7R+(100R+1N4148)+5.1K對(duì)地,驅(qū)動(dòng)開啟時(shí)間上升到15V是600nS的樣子,上升到5V左右就是200nS的樣子,關(guān)斷下降時(shí)間那就很快的,200nS左右吧 搞定就好,大概的解釋的,開啟和關(guān)斷時(shí)間對(duì)應(yīng)的是dI/dt的參數(shù),同時(shí)也對(duì)應(yīng)的管子的應(yīng)力,所以,硬開關(guān)毛刺會(huì)比軟開關(guān)的LLC中的毛刺多很多。

解決就好。

NE1102是比較老的芯片,NE1102的升級(jí)版本也出來(lái)很長(zhǎng)時(shí)間了,都在市場(chǎng)上銷售。

現(xiàn)在產(chǎn)品跟新?lián)Q代的好快的

呵呵,如果擔(dān)心更新?lián)Q代太快,就用終極版本PF6116,這顆很難有其他芯片能超越;

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