序論

　　許多比較老的線性器件，尤其是運算放大器，簡稱“運放”，都沒有SPICE宏模型。即使有，通常使用的也是博伊爾（Boyle）宏模型，該模型以今天的標準來看準確度并不高，即使提供給用戶也不能很好地代表實際器件。

　　這種基于晶體管的方法使用相對簡單的方程式 —— 工程師可對這些方程式進行相應(yīng)的修改，以滿足各種放大器設(shè)計流程的需要。我們的理念是用來自產(chǎn)品說明書的幾個參數(shù)來創(chuàng)建SPICE（TINA-TI™）宏模型，不管輸入或輸出拓撲結(jié)構(gòu)如何。該技術(shù)基于這樣的假設(shè)：大多數(shù)運算放大器都有一個遠遠超出單位增益帶寬的次極。

　　一般而言，工程師需要以下參數(shù)：電源電壓、開環(huán)增益與負載、單位增益帶寬、壓擺率、輸入共模范圍、共模抑制比（CMRR）、電源抑制比（PSRR）、Vos、Ios、Ib、開環(huán)輸出阻抗、相位裕度、寬帶噪聲與1/f噪聲、電源電流以及短路電流。對于軌至軌輸出，工程師將需要輸出飽和電壓（輸入輸出電壓差）以及匯點和源點電流。此外，還需要明確規(guī)定負載電阻RL。

　　以不同顏色突出顯示的方程式是工程師需插入到網(wǎng)表中的方程式。藍色方程式是為了方便工程師自己進行觀察；紅色方程式則是網(wǎng)表末尾的模型參數(shù)中可能需要的。

　　圖1展示了雙極性輸入和互補金屬氧化物半導體（CMOS）輸出級的拓撲結(jié)構(gòu)。

　　圖1：非軌至軌雙極性輸入和CMOS輸出運放的三級拓撲結(jié)構(gòu)

　　輸入級

　　輸入級包括：一個差分對（Q1/Q2）；電流I1、D1和V1 —— 它們可將共模設(shè)置為高電平；Rc1和Rc2；可設(shè)置次極的C1；作為發(fā)射極負反饋的RE1和RE2；EOS —— 一個非反相輸入串聯(lián)的壓控電壓源。該電壓源有好幾個組成部分。第一個代表輸入偏移電壓；第二個與共模抑制比（CMRR）有關(guān)聯(lián)；第三個與電源抑制比（PSRR）有關(guān)聯(lián)，等等。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠