鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應用。

概述

到目前為止，富士通半導體已經開發出了高頻段(13.6MHz)和超高頻段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI產品。這些產品最重要的特點就是它們內電感廠家嵌FRAM。由于擦寫速度快、耐擦寫次數高，它們已經作為數據載體型被動RFID LSI而被全世界廣泛采用。

大存儲數據載體的優勢就是RFID可以記錄可追溯數據，如制造數據、生產數據、物流數據、維護數據等，因此它可用于各種資產、產品和零部件的管理。由于大存儲數據載體具有這些優勢，人們希望進一步利用FRAM RFID來連接傳感器等設備。

基于這些市場需求，我們開發出了一種帶有串行接口的技術;超高頻段RIFD LSI上的串行外圍接口(SPI)。

FRAM FRID LSI的附加值

FRAM是一種非易失性存儲器，使用鐵電材料作為數據載體，結合了隨機存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)的優勢。作為用在RFID中的非易失性存儲器，電擦除可編程只讀存儲器(E2PROM)已經得到廣泛應用，但是當數據被寫入時，E2PROM需要內部升壓電壓，因為數據存儲的原則就是要看是否帶有電子電荷，所以它的寫入速度非常慢(需要數毫秒)，耐擦寫次數也僅限于10萬次。因此，大部分基于E2PROM的RFID LSI都是小存儲容量產品，只適合讀，不適合寫。

相比較而言，FRAM在寫和讀方面的性能一樣好，因為二者的原則一樣。FRAM本身的擦寫速度是100納秒，耐讀/寫次數是100億次。這就是FRAM RFID為什么可以作為數據載體提供大存儲容量的原因。

存儲容量大、擦寫速度快的RFID的最重要的優勢在于，它可以在自己的存儲器上記錄數據，由此可以將數據處理方式從集中數據管理轉變為分散數據管理。傳統的E2PROM RFID在很多情況下都采用集中管理的方式，在這種模式下，數據存在了服務器端，需要與標簽本身的ID相關聯。而FRAM RFID可以實現分散數據管理，數據可以存在標簽上，由此減輕了服務器的載荷。這種方式尤其適合工廠自動化(FA)和維修領域中的生產歷史管理。在工廠自動化領域中，有數百個流程都需要經常寫入數據;在維修領域中，現場數據確認時也需要經常寫入數據，如維修歷史、零部件信息等，這樣就不需要詢問數據服務器。 大功率電感廠家 |大電流電感工廠